光刻机是晶圆生产线中最为核心的生产设备，发展历程也是经过了数代的更迭。

如果以大规模商业性应用为标准线，大体上看，六十年代是接触式光刻机、接近式光刻机的时代，到七十年代光刻机设备主流更新到了投影式光刻机，八十年代更新到步进式光刻机，九十年代更新到步进式扫描光刻机，新世纪初期浸入式光刻机大行其道。

二十一世纪之后，得益于华人科学家林本坚博士的光刻胶上方加水创意，忽然获得大绝招的asml以侵入式光刻机一举把日系光刻机厂商从云端打入尘埃，只用了不到几年时间就垄断了全球70%的光刻机市场。

由于光本质是波的缘故，在微观物理世界波长越短的光精度就越高，换句话说光的波长越短，在晶圆上刻下的线就越细。

早期的摩尔定律是预言集成电路密度每年翻倍，直到1975年摩尔定律才改成未来人尽所知的每十八个月。

根据瑞利公式：cd=k1*(λ/na)，其中cd代表着曝光尺寸或者叫做光刻的最小尺寸，比如5.0微米、3.0微米什么的，甚至直接代指晶圆生产线的技术标准，k1代表着干扰降低光刻尺寸的综合因素，比如光刻胶，比如车间环境供电电压等等。

na代表着镜头的数值孔径这玩意的学术描述比较复杂，简单的说就是na值越大透光越多分辨率越高。

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